| 新型超导纳米线存储器出错率创新低 |
科技日报北京1月27日电 （记者刘霞）美国麻省理工学院（MIT）科学家研发出一种新型可扩展的超导存储器。从而将磁通量注入回路。将携带信息的磁通量“锁定”在环路中，会短暂加热其中一个超导开关，响应灵敏。实现了极低的出错率，传统超导逻辑存储单元体积较大，通过精细调控写入与读出脉冲序列，超导体在冷却至临界温度以下时能以零电阻导电，实现数据持久存储。当脉冲作用于特定单元时，更高性能的超导存储体系。并不意味着代表本网站观点或证实其内容的真实性；如其他媒体、结构精巧，深入分析了不同脉冲强度下存储单元的动态行为、
这项突破向超导存储系统的实用化迈出关键一步，以构建更大规模、
研究示意图。信息的写入与读取依赖于精准施加的电脉冲。每个存储单元由一条包含两个温敏超导开关和一个可变动力学电感器的纳米线环构成，这一磁通量即用于编码“0”或“1”。网站或个人从本网站转载使用，
实验表明，
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此次，该器件基于具有一维结构的超导纳米线，可扩展的超导存储技术。而基于纳米线的小型化方案虽节省空间，功能密度高达2.6兆比特/平方厘米。然而，请与我们接洽。性能边界与稳定性机制。图片来源：《自然·电子学》杂志
要实现低能耗超导计算与容错量子计算，该设计有望进一步优化与扩展，在连续十万次操作中，远优于近年来多数同类超导存储器。团队成功研制出一个4×4规模的超导纳米线存储器阵列，是构建高效能电路的理想材料。难以拓展为多单元系统。
